Characteristics of n-p Junction Diodes Made by Double-Implantations into SiC: Fid-Bau Portal

Characteristics of n-p Junction Diodes Made by Double-Implantations into SiC

Tucker, J. B. / Handy, E. M. / Rao, M. V. / Holland, O. W. / Papanicolaou, N. / Jones, K. A.

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Titel:

Characteristics of n-p Junction Diodes Made by Double-Implantations into SiC

Beteiligte:

Tucker, J. B. (Autor:in) / Handy, E. M. (Autor:in) / Rao, M. V. (Autor:in) / Holland, O. W. (Autor:in) / Papanicolaou, N. (Autor:in) / Jones, K. A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 925-928

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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