Fermi Level Pinning and Schottky Barrier Characteristics on Reactively Ion Etched 4H-SiC: Fid-Bau Portal

Fermi Level Pinning and Schottky Barrier Characteristics on Reactively Ion Etched 4H-SiC

Skromme, B. J. / Luckowski, E. / Moore, K. / Clemens, S. / Resnick, D. / Gehoski, T. / Ganser, D.

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Titel:

Fermi Level Pinning and Schottky Barrier Characteristics on Reactively Ion Etched 4H-SiC

Beteiligte:

Skromme, B. J. (Autor:in) / Luckowski, E. (Autor:in) / Moore, K. (Autor:in) / Clemens, S. (Autor:in) / Resnick, D. (Autor:in) / Gehoski, T. (Autor:in) / Ganser, D. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 1029-1032

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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