Anomalously High Density of Interface States Near the Conduction Band in SiO~2/4H-SiC MOS Devices: Fid-Bau Portal

Anomalously High Density of Interface States Near the Conduction Band in SiO~2/4H-SiC MOS Devices

Das, M. K. / Um, B. S. / Cooper, J. A.

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Titel:

Anomalously High Density of Interface States Near the Conduction Band in SiO~2/4H-SiC MOS Devices

Beteiligte:

Das, M. K. (Autor:in) / Um, B. S. (Autor:in) / Cooper, J. A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 1069-1072

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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