4H-SiC Gate Turn-Off Thyristor Designs for Very High Power Control: Fid-Bau Portal

4H-SiC Gate Turn-Off Thyristor Designs for Very High Power Control

Shah, P. B. / Geil, B. R. / Jones, K. A. / Griffin, T. E. / Derenge, M. A.

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Titel:

4H-SiC Gate Turn-Off Thyristor Designs for Very High Power Control

Beteiligte:

Shah, P. B. (Autor:in) / Geil, B. R. (Autor:in) / Jones, K. A. (Autor:in) / Griffin, T. E. (Autor:in) / Derenge, M. A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 1395-1398

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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