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4H-SiC Gate Turn-Off (GTO) Thyristor Development

Casady, J. B. / Agarwal, A. K. / Rowland, L. B. / Siergiej, R. R. / Seshadri, S. / Mani, S. / Barrows, J. / Piccone, D. / Sanger, P. A. / Brandt, C. D.

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Titel:

4H-SiC Gate Turn-Off (GTO) Thyristor Development

Beteiligte:

Casady, J. B. (Autor:in) / Agarwal, A. K. (Autor:in) / Rowland, L. B. (Autor:in) / Siergiej, R. R. (Autor:in) / Seshadri, S. (Autor:in) / Mani, S. (Autor:in) / Barrows, J. (Autor:in) / Piccone, D. (Autor:in) / Sanger, P. A. (Autor:in) / Brandt, C. D. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268 ; 1069-1072

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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