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    Dokumentinformationen
    Titel:

    The APD Annihilation Mechanism of 3C-SiC Hetero-Epilayer on Si(001) Substrate

    Beteiligte:

    Ishida, Y. (Autor:in) / Takahashi, T. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in) / Sekigawa, T. (Autor:in) / Yoshida, S. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 253-256

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2000

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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