In-Situ RHEED Analysis During alpha-SiC Homoepitaxy on (0001)Si- and (000&unknwon;1)C- Faces by Gas Source Molecular Beam Epitaxy: Fid-Bau Portal

In-Situ RHEED Analysis During alpha-SiC Homoepitaxy on (0001)Si- and (000&unknwon;1)C- Faces by Gas Source Molecular Beam Epitaxy

Hatayama, T. / Fuyuki, T. / Nakamura, S. / Kurobe, K. / Kimoto, T. / Matsunami, H.

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Titel:

In-Situ RHEED Analysis During alpha-SiC Homoepitaxy on (0001)Si- and (000&unknwon;1)C- Faces by Gas Source Molecular Beam Epitaxy

Beteiligte:

Hatayama, T. (Autor:in) / Fuyuki, T. (Autor:in) / Nakamura, S. (Autor:in) / Kurobe, K. (Autor:in) / Kimoto, T. (Autor:in) / Matsunami, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 361-364

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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