Electron Beam Induced Current Investigation of High-Voltage 4H Silicon Carbide Diodes: Fid-Bau Portal

Electron Beam Induced Current Investigation of High-Voltage 4H Silicon Carbide Diodes

Osterman, J. / Hallen, A. / Jargelius, M. / Zimmermann, U. / Galeckas, A. / Breitholtz, B.

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Titel:

Electron Beam Induced Current Investigation of High-Voltage 4H Silicon Carbide Diodes

Beteiligte:

Osterman, J. (Autor:in) / Hallen, A. (Autor:in) / Jargelius, M. (Autor:in) / Zimmermann, U. (Autor:in) / Galeckas, A. (Autor:in) / Breitholtz, B. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 777-780

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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