Steady-State and Transient Forward Current-Voltage Characteristics of 5.5 kV 4H-Silicon Carbide Diodes at High and Superhigh Current Densities: Fid-Bau Portal

Steady-State and Transient Forward Current-Voltage Characteristics of 5.5 kV 4H-Silicon Carbide Diodes at High and Superhigh Current Densities

Dyakonova, N. V. / Ivanov, P. A. / Kozlov, V. A. / Levinshtein, M. E. / Palmour, J. W. / Rumyantsev, S. L. / Singh, R.

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Dyakonova, N. V. / Ivanov, P. A. / Kozlov, V. A. / Levinshtein, M. E. / Palmour, J. W. / Rumyantsev, S. L. / Singh, R.

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Titel:

Steady-State and Transient Forward Current-Voltage Characteristics of 5.5 kV 4H-Silicon Carbide Diodes at High and Superhigh Current Densities

Beteiligte:

Dyakonova, N. V. (Autor:in) / Ivanov, P. A. (Autor:in) / Kozlov, V. A. (Autor:in) / Levinshtein, M. E. (Autor:in) / Palmour, J. W. (Autor:in) / Rumyantsev, S. L. (Autor:in) / Singh, R. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 1319-1322

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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