Lateral epitaxial overgrowth of GaN on sapphire and silicon substrates for ultraviolet photodetector applications: Fid-Bau Portal

Lateral epitaxial overgrowth of GaN on sapphire and silicon substrates for ultraviolet photodetector applications

Razeghi, M. / Sandvik, P. / Kung, P. / Walker, D. / Mi, K. / Zhang, X. / Kumar, V. / Diaz, J. / Shahedipour, F.

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Titel:

Lateral epitaxial overgrowth of GaN on sapphire and silicon substrates for ultraviolet photodetector applications

Beteiligte:

Razeghi, M. (Autor:in) / Sandvik, P. (Autor:in) / Kung, P. (Autor:in) / Walker, D. (Autor:in) / Mi, K. (Autor:in) / Zhang, X. (Autor:in) / Kumar, V. (Autor:in) / Diaz, J. (Autor:in) / Shahedipour, F. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 74 ; 107 - 112

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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