Direct evaluation of atomic layer intermixing via disordering in ALE grown (GaAs)m(GaP)1 system: Fid-Bau Portal

Direct evaluation of atomic layer intermixing via disordering in ALE grown (GaAs)m(GaP)1 system

Isshiki, H. / Takahashi, M. / Yamane, N. / Iizuka, H. / Aoyagi, Y. / Sugano, T. / Kimura, T.

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Titel:

Direct evaluation of atomic layer intermixing via disordering in ALE grown (GaAs)m(GaP)1 system

Beteiligte:

Isshiki, H. (Autor:in) / Takahashi, M. (Autor:in) / Yamane, N. (Autor:in) / Iizuka, H. (Autor:in) / Aoyagi, Y. (Autor:in) / Sugano, T. (Autor:in) / Kimura, T. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 159-160 ; 508-513

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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