Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Flat-band voltage control of a back-gate MOSFET by single ion implantation

    Neue Suche nach: Shinada, T.
    Neue Suche nach: Ishikawa, A.
    Neue Suche nach: Hinoshita, C.
    Neue Suche nach: Koh, M.
    Neue Suche nach: Ohdomari, I.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Flat-band voltage control of a back-gate MOSFET by single ion implantation

    Neue Suche nach: Shinada, T.
    Neue Suche nach: Ishikawa, A.
    Neue Suche nach: Hinoshita, C.
    Neue Suche nach: Koh, M.
    Neue Suche nach: Ohdomari, I.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Flat-band voltage control of a back-gate MOSFET by single ion implantation

    Neue Suche nach: Shinada, T.
    Neue Suche nach: Ishikawa, A.
    Neue Suche nach: Hinoshita, C.
    Neue Suche nach: Koh, M.
    Neue Suche nach: Ohdomari, I.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Flat-band voltage control of a back-gate MOSFET by single ion implantation

    Beteiligte:

    Shinada, T. (Autor:in) / Ishikawa, A. (Autor:in) / Hinoshita, C. (Autor:in) / Koh, M. (Autor:in) / Ohdomari, I. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 162/163 ; 499-503

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2000

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Effects of N Implantation before Gate Oxidation on the Performance of 4H-SiC MOSFET

    Poggi, A. / Moscatelli, F. / Solmi, S. et al. | British Library Online Contents | 2009

    Novel Gate Oxide Process for Realization of High Threshold Voltage in 4H-SiC MOSFET

    Furuhashi, M. / Tanioka, T. / Imaizumi, M. et al. | British Library Online Contents | 2014

    Modeling of gate underlap junctionless double gate MOSFET as bio-sensor

    Narang, Rakhi / Saxena, Manoj / Gupta, Mridula | British Library Online Contents | 2017

    Modeling of gate underlap junctionless double gate MOSFET as bio-sensor

    Narang, Rakhi / Saxena, Manoj / Gupta, Mridula | British Library Online Contents | 2017

    Modeling of gate underlap junctionless double gate MOSFET as bio-sensor

    Narang, Rakhi / Saxena, Manoj / Gupta, Mridula | British Library Online Contents | 2017

    Nach oben