Effects of N Implantation before Gate Oxidation on the Performance of 4H-SiC MOSFET: Fid-Bau Portal

Effects of N Implantation before Gate Oxidation on the Performance of 4H-SiC MOSFET

Poggi, A. / Moscatelli, F. / Solmi, S. / Nipoti, R. / Tamarri, F. / Pizzochero, G.

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Titel:

Effects of N Implantation before Gate Oxidation on the Performance of 4H-SiC MOSFET

Beteiligte:

Poggi, A. (Autor:in) / Moscatelli, F. (Autor:in) / Solmi, S. (Autor:in) / Nipoti, R. (Autor:in) / Tamarri, F. (Autor:in) / Pizzochero, G. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 615/617 ; 761-764

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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