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    Titel:

    The Auger transistor based on the Al-SiO2-n-Si heterostructure

    Beteiligte:

    Ostroumova, E. V. (Autor:in) / Rogachev, A. A. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 166 ; 480-484

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2000

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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