Implantation Temperature Dependent Deep Level Defects in 4H-SiC: Fid-Bau Portal

Implantation Temperature Dependent Deep Level Defects in 4H-SiC

Aberg, D. / Storasta, L. / Hallen, A. / Svensson, B. G.

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Titel:

Implantation Temperature Dependent Deep Level Defects in 4H-SiC

Beteiligte:

Aberg, D. (Autor:in) / Storasta, L. (Autor:in) / Hallen, A. (Autor:in) / Svensson, B. G. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 353/356 ; 443-446

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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