Annealing Process of Defects in Epitaxial SiC Induced by He and Electron Irradiation: Positron Annihilation Study: Fid-Bau Portal

Annealing Process of Defects in Epitaxial SiC Induced by He and Electron Irradiation: Positron Annihilation Study

Kawasuso, A. / Redmann, F. / Krause-Rehberg, R. / Sperr, P. / Frank, T. / Weidner, M. / Pensl, G. / Itoh, H.

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Titel:

Annealing Process of Defects in Epitaxial SiC Induced by He and Electron Irradiation: Positron Annihilation Study

Beteiligte:

Kawasuso, A. (Autor:in) / Redmann, F. (Autor:in) / Krause-Rehberg, R. (Autor:in) / Sperr, P. (Autor:in) / Frank, T. (Autor:in) / Weidner, M. (Autor:in) / Pensl, G. (Autor:in) / Itoh, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 353/356 ; 537-542

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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