The base contact recombination current and its effect on the current gain of surface-passivated InGaP/GaAs HBTs: Fid-Bau Portal

The base contact recombination current and its effect on the current gain of surface-passivated InGaP/GaAs HBTs

Lee, J. M. / Lee, T. W. / Park, S. H. / Min, B. G. / Park, M. P. / Lee, K. H. / Choi, I. H.

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Titel:

The base contact recombination current and its effect on the current gain of surface-passivated InGaP/GaAs HBTs

Beteiligte:

Lee, J. M. (Autor:in) / Lee, T. W. (Autor:in) / Park, S. H. (Autor:in) / Min, B. G. (Autor:in) / Park, M. P. (Autor:in) / Lee, K. H. (Autor:in) / Choi, I. H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 79 ; 63 - 67

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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