The effect of base emitter space-charge recombination on the temperature dependence of current gains in InGaP/GaAs and AlGaAs/GaAs HBTs: Fid-Bau Portal

The effect of base emitter space-charge recombination on the temperature dependence of current gains in InGaP/GaAs and AlGaAs/GaAs HBTs

Rezazadeh, A. A. / Kren, D. E. / Crouch, M. A.

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Titel:

The effect of base emitter space-charge recombination on the temperature dependence of current gains in InGaP/GaAs and AlGaAs/GaAs HBTs

Beteiligte:

Rezazadeh, A. A. (Autor:in) / Kren, D. E. (Autor:in) / Crouch, M. A. (Autor:in) / Jantz, W. / Baeumler, M.

Erschienen in:

Solid-State Materials for Advanced Technology ; 345-350

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 44

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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