Dopant redistribution and formation of electrically active complexes in SiGe: Fid-Bau Portal

Dopant redistribution and formation of electrically active complexes in SiGe

Kuznetsov, A. Y. / Christensen, J. S. / Monakhov, E. V. / Lindgren, A. C. / Radamson, H. H. / Nylandsted-Larsen, A. / Svensson, B. G.

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Titel:

Dopant redistribution and formation of electrically active complexes in SiGe

Beteiligte:

Kuznetsov, A. Y. (Autor:in) / Christensen, J. S. (Autor:in) / Monakhov, E. V. (Autor:in) / Lindgren, A. C. (Autor:in) / Radamson, H. H. (Autor:in) / Nylandsted-Larsen, A. (Autor:in) / Svensson, B. G. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 4 ; 217-223

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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