Carrier lifetime investigation in 4H-SiC grown by CVD and sublimation epitaxy: Fid-Bau Portal

Carrier lifetime investigation in 4H-SiC grown by CVD and sublimation epitaxy

Grivickas, P. / Galeckas, A. / Linnros, J. / Syvajarvi, M. / Yakimova, R. / Grivickas, V. / Tellefsen, J. A.

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Titel:

Carrier lifetime investigation in 4H-SiC grown by CVD and sublimation epitaxy

Beteiligte:

Grivickas, P. (Autor:in) / Galeckas, A. (Autor:in) / Linnros, J. (Autor:in) / Syvajarvi, M. (Autor:in) / Yakimova, R. (Autor:in) / Grivickas, V. (Autor:in) / Tellefsen, J. A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 4 ; 191-194

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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