The use of electron back-scattered diffraction to study the regrowth of amorphised silicon-based heterostructures: Fid-Bau Portal

The use of electron back-scattered diffraction to study the regrowth of amorphised silicon-based heterostructures

Vernon-Parry, K. D. / Abd-El-Rahman, K. F. / Brough, I. / Evans-Freeman, J. H. / Zhang, J. / Peaker, A. R.

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Titel:

The use of electron back-scattered diffraction to study the regrowth of amorphised silicon-based heterostructures

Beteiligte:

Vernon-Parry, K. D. (Autor:in) / Abd-El-Rahman, K. F. (Autor:in) / Brough, I. (Autor:in) / Evans-Freeman, J. H. (Autor:in) / Zhang, J. (Autor:in) / Peaker, A. R. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 4 ; 121-123

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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