Confined exciton-polariton modes in a thin, homo-epitaxial, GaN film grown by molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Confined exciton-polariton modes in a thin, homo-epitaxial, GaN film grown by molecular beam epitaxy

Morel, A. / Taliercio, T. / Lefebvre, P. / Gallart, M. / Gil, B. / Grandjean, N. / Massies, J. / Grzegory, I. / Porowski, S.

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Titel:

Confined exciton-polariton modes in a thin, homo-epitaxial, GaN film grown by molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Morel, A. (Autor:in) / Taliercio, T. (Autor:in) / Lefebvre, P. (Autor:in) / Gallart, M. (Autor:in) / Gil, B. (Autor:in) / Grandjean, N. (Autor:in) / Massies, J. (Autor:in) / Grzegory, I. (Autor:in) / Porowski, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 82 ; 173 - 177

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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