High quality β-FeSi2 epitaxial film grown on hydrogen terminated Si (111) by molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

High quality β-FeSi2 epitaxial film grown on hydrogen terminated Si (111) by molecular beam epitaxy

Ji, S. Y. / Lalev, G. M. / Wang, J. F. / Uchikoshi, M. / Isshiki, M.

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Titel:

High quality β-FeSi2 epitaxial film grown on hydrogen terminated Si (111) by molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Ji, S. Y. (Autor:in) / Lalev, G. M. (Autor:in) / Wang, J. F. (Autor:in) / Uchikoshi, M. (Autor:in) / Isshiki, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS LETTERS ; 59 ; 2370-2373

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0167-577X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1105 / 530

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