Microstructure of GaN nucleation layer during initial stage MOCVD growth: Fid-Bau Portal

Microstructure of GaN nucleation layer during initial stage MOCVD growth

Kim, C. C. / Je, J. H. / Yi, M. S. / Noh, D. Y. / Degave, F. / Ruterana, P.

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Titel:

Microstructure of GaN nucleation layer during initial stage MOCVD growth

Beteiligte:

Kim, C. C. (Autor:in) / Je, J. H. (Autor:in) / Yi, M. S. (Autor:in) / Noh, D. Y. (Autor:in) / Degave, F. (Autor:in) / Ruterana, P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 82 ; 108 - 110

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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