Growth kinetics and doping mechanism in phosphorus-doped Si gas-source molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Growth kinetics and doping mechanism in phosphorus-doped Si gas-source molecular beam epitaxy

Tsukidate, Y. / Suemitsu, M.

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Titel:

Growth kinetics and doping mechanism in phosphorus-doped Si gas-source molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Tsukidate, Y. (Autor:in) / Suemitsu, M. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 175-176 ; 43-48

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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