Oxygen precipitation in floating-zone silicon grown in hydrogen ambience and its application: Fid-Bau Portal

Oxygen precipitation in floating-zone silicon grown in hydrogen ambience and its application

Li, H. / Li, C. / He, Y. / Liu, G. / Chen, Y. / Duan, S.

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Titel:

Oxygen precipitation in floating-zone silicon grown in hydrogen ambience and its application

Beteiligte:

Li, H. (Autor:in) / Li, C. (Autor:in) / He, Y. (Autor:in) / Liu, G. (Autor:in) / Chen, Y. (Autor:in) / Duan, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 83 ; 106 - 110

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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