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    Titel:

    Photoluminescence Properties of C^+ Implanted Epitaxial Si Annealed in Hydrogen Ambience

    Beteiligte:

    Qiang, W. (Autor:in) / Yuguo, L. (Autor:in) / Liwei, S. (Autor:in)

    Erschienen in:

    RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING ; 34 ; 256-258

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2005

    Format / Umfang:

    3 pages

    ISSN:

    1002-185X

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    Klassifikation:

    DDC:  669

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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