Surface reaction kinetics of Ga1-xInxP growth during pulsed chemical beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Surface reaction kinetics of Ga1-xInxP growth during pulsed chemical beam epitaxy

Dietz, N. / Beeler, S. C. / Schmidt, J. W. / Tran, H. T.

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Titel:

Surface reaction kinetics of Ga1-xInxP growth during pulsed chemical beam epitaxy

Beteiligte:

Dietz, N. (Autor:in) / Beeler, S. C. (Autor:in) / Schmidt, J. W. (Autor:in) / Tran, H. T. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 178 ; 63-74

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

12 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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