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    Titel:

    Depth profile and annealing behavior study of 350 keV Bi+ ions implanted into LiNbO3

    Beteiligte:

    Chen, F. (Autor:in) / Hu, H. (Autor:in) / Zhang, J. H. (Autor:in) / Liu, X. D. (Autor:in) / Shi, B. R. (Autor:in) / Lu, F. (Autor:in) / Wang, K. M. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 86 ; 15 - 19

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2001

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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