Ab initio modeling study of boron diffusion in silicon: Fid-Bau Portal

Ab initio modeling study of boron diffusion in silicon

Windl, W. / Stumpf,, R. / Liu, X. Y. / Masquelier, M. P.

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Titel:

Ab initio modeling study of boron diffusion in silicon

Beteiligte:

Windl, W. (Autor:in) / Stumpf,, R. (Autor:in) / Liu, X. Y. (Autor:in) / Masquelier, M. P. (Autor:in)

Erschienen in:

COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE ; 21 ; 496-504

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

9 pages

ISSN:

0927-0256

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1 / 510

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