Cryogenic field effect transistors using strained silicon quantum wells in Si:SiGe heterostructures grown by APCVD: Fid-Bau Portal

Cryogenic field effect transistors using strained silicon quantum wells in Si:SiGe heterostructures grown by APCVD

Rack, M. J. / Thornton, T. J. / Ferry, D. K. / Roberts, J. / Westhoff, R. C. / Robinson, M.

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Titel:

Cryogenic field effect transistors using strained silicon quantum wells in Si:SiGe heterostructures grown by APCVD

Beteiligte:

Rack, M. J. (Autor:in) / Thornton, T. J. (Autor:in) / Ferry, D. K. (Autor:in) / Roberts, J. (Autor:in) / Westhoff, R. C. (Autor:in) / Robinson, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 87 ; 277 - 281

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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