Electronic properties of silicon nanocrystallites obtained by SiOx (x<2) annealing: Fid-Bau Portal

Electronic properties of silicon nanocrystallites obtained by SiOx (x<2) annealing

Busseret, C. / Souifi, A. / Baron, T. / Monfray, S. / Buffet, N. / Gautier, E. / Semeria, M. N.

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Titel:

Electronic properties of silicon nanocrystallites obtained by SiOx (x<2) annealing

Beteiligte:

Busseret, C. (Autor:in) / Souifi, A. (Autor:in) / Baron, T. (Autor:in) / Monfray, S. (Autor:in) / Buffet, N. (Autor:in) / Gautier, E. (Autor:in) / Semeria, M. N. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -AMSTERDAM THEN LAUSANNE- C ; 19 ; 237-241

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0928-4931

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1 / 660

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