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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Behavior of background impurities in thick 4H-SiC epitaxial layers

    Beteiligte:

    Kakanakova-Georgieva, A. (Autor:in) / Yakimova, R. (Autor:in) / Syvajarvi, M. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 184 ; 242-246

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2001

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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