Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Low temperature epitaxial growth of germanium islands in active regions of silicon interband tunneling diodes
Low temperature epitaxial growth of germanium islands in active regions of silicon interband tunneling diodes
Low temperature epitaxial growth of germanium islands in active regions of silicon interband tunneling diodes
Dashiell, M. W. (Autor:in) / Muller, C. (Autor:in) / Jin-Phillipp, N. Y. (Autor:in) / Denker, U. (Autor:in) / Schmidt, O. G. (Autor:in) / Eberl, K. (Autor:in)
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 89 ; 106 - 110
01.01.2002
5 pages
Aufsatz (Zeitschrift)
Englisch
DDC:
620.11
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Low temperature, high growth rate epitaxial silicon and silicon germanium alloy films
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