Phosphorus diffusion in Si-based resonant interband tunneling diodes and tri-state logic using vertically stacked diodes: Fid-Bau Portal

Phosphorus diffusion in Si-based resonant interband tunneling diodes and tri-state logic using vertically stacked diodes

Jin, N. / Chung, S. Y. / Heyns, R. M. / Berger, P. R. / Yu, R. / Thompson, P. E. / Rommel, S. L.

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Titel:

Phosphorus diffusion in Si-based resonant interband tunneling diodes and tri-state logic using vertically stacked diodes

Beteiligte:

Jin, N. (Autor:in) / Chung, S. Y. (Autor:in) / Heyns, R. M. (Autor:in) / Berger, P. R. (Autor:in) / Yu, R. (Autor:in) / Thompson, P. E. (Autor:in) / Rommel, S. L. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 411-416

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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