Si1-x-yGexCy alloy growth by electron cyclotron resonance plasma-assisted Si molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Si1-x-yGexCy alloy growth by electron cyclotron resonance plasma-assisted Si molecular beam epitaxy

Baribeau, J. M. / Lockwood, D. J. / Balle, J. / Rolfe, S. J. / Sproule, G. I.

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Titel:

Si1-x-yGexCy alloy growth by electron cyclotron resonance plasma-assisted Si molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Baribeau, J. M. (Autor:in) / Lockwood, D. J. (Autor:in) / Balle, J. (Autor:in) / Rolfe, S. J. (Autor:in) / Sproule, G. I. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 89 ; 296 - 302

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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