The impact of defects to minority-carrier dynamics in heavily doped GaAs:C analyzed by transient photoluminescence spectroscopy: Fid-Bau Portal

The impact of defects to minority-carrier dynamics in heavily doped GaAs:C analyzed by transient photoluminescence spectroscopy

Tomm, J. W. / Maadorf, A. / Mazur, Y. I. / Gramlich, S. / Richter, E. / Brunner, F. / Weyers, M. / Trankle, G. / Malyarchuk, V. / Gunther, T.

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Tomm, J. W. / Maadorf, A. / Mazur, Y. I. / Gramlich, S. / Richter, E. / Brunner, F. / Weyers, M. / Trankle, G. / Malyarchuk, V. / Gunther, T.

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Tomm, J. W. / Maadorf, A. / Mazur, Y. I. / Gramlich, S. / Richter, E. / Brunner, F. / Weyers, M. / Trankle, G. / Malyarchuk, V. / Gunther, T.

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Titel:

The impact of defects to minority-carrier dynamics in heavily doped GaAs:C analyzed by transient photoluminescence spectroscopy

Beteiligte:

Tomm, J. W. (Autor:in) / Maadorf, A. (Autor:in) / Mazur, Y. I. (Autor:in) / Gramlich, S. (Autor:in) / Richter, E. (Autor:in) / Brunner, F. (Autor:in) / Weyers, M. (Autor:in) / Trankle, G. (Autor:in) / Malyarchuk, V. (Autor:in) / Gunther, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 91-92 ; 25 - 28

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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