Electrical and optical investigation of MBE grown Si-doped AlxGa1-xN as a function of Al mole fraction up to 0.5: Fid-Bau Portal

Electrical and optical investigation of MBE grown Si-doped AlxGa1-xN as a function of Al mole fraction up to 0.5

Ahoujja, M. / McFall, J. L. / Yeo, Y. K. / Hengehold, R. L. / Van Nostrand, J. E.

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Titel:

Electrical and optical investigation of MBE grown Si-doped AlxGa1-xN as a function of Al mole fraction up to 0.5

Beteiligte:

Ahoujja, M. (Autor:in) / McFall, J. L. (Autor:in) / Yeo, Y. K. (Autor:in) / Hengehold, R. L. (Autor:in) / Van Nostrand, J. E. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 91-92 ; 285 - 289

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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