Seeded growth of GaN at high N2 pressure on (0001) polar surfaces of GaN single crystalline substrates: Fid-Bau Portal

Seeded growth of GaN at high N2 pressure on (0001) polar surfaces of GaN single crystalline substrates

Grzegory, I. / Bockowski, M. / ucznik, B. / Wroblewski, M. / Teisseyre, H. / Borysiuk, J. / Porowski, S.

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Titel:

Seeded growth of GaN at high N2 pressure on (0001) polar surfaces of GaN single crystalline substrates

Beteiligte:

Grzegory, I. (Autor:in) / Bockowski, M. (Autor:in) / ucznik, B. (Autor:in) / Wroblewski, M. (Autor:in) / Teisseyre, H. (Autor:in) / Borysiuk, J. (Autor:in) / Porowski, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 4 ; 535-541

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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