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Study of electrically active defects in n-GaN layer

Soh, C. B. / Chi, D. Z. / Ramam, A. / Lim, H. F. / Chua, S. J.

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Titel:

Study of electrically active defects in n-GaN layer

Beteiligte:

Soh, C. B. (Autor:in) / Chi, D. Z. (Autor:in) / Ramam, A. (Autor:in) / Lim, H. F. (Autor:in) / Chua, S. J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 4 ; 595-600

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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