Improvements in Electrical Properties of n-Type-Implanted 4H-SiC Substrates Using High-Temperature Rapid Thermal Annealing: Fid-Bau Portal

Improvements in Electrical Properties of n-Type-Implanted 4H-SiC Substrates Using High-Temperature Rapid Thermal Annealing

Senzaki, J. / Harada, S. / Kosugi, R. / Suzuki, S. / Fukuda, K. / Arai, K.

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Titel:

Improvements in Electrical Properties of n-Type-Implanted 4H-SiC Substrates Using High-Temperature Rapid Thermal Annealing

Beteiligte:

Senzaki, J. (Autor:in) / Harada, S. (Autor:in) / Kosugi, R. (Autor:in) / Suzuki, S. (Autor:in) / Fukuda, K. (Autor:in) / Arai, K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 795-798

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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