Passivation of the 4H-SiC/SiO~2 Interface with Nitric Oxide: Fid-Bau Portal

Passivation of the 4H-SiC/SiO~2 Interface with Nitric Oxide

Williams, J. R. / Chung, G. Y. / Tin, C. C. / McDonald, K. / Farmer, D. / Chanana, R. K. / Weller, R. A. / Pantelides, S. T. / Holland, O. W. / Das, M. K.

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Williams, J. R. / Chung, G. Y. / Tin, C. C. / McDonald, K. / Farmer, D. / Chanana, R. K. / Weller, R. A. / Pantelides, S. T. / Holland, O. W. / Das, M. K.

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Williams, J. R. / Chung, G. Y. / Tin, C. C. / McDonald, K. / Farmer, D. / Chanana, R. K. / Weller, R. A. / Pantelides, S. T. / Holland, O. W. / Das, M. K.

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Titel:

Passivation of the 4H-SiC/SiO~2 Interface with Nitric Oxide

Beteiligte:

Williams, J. R. (Autor:in) / Chung, G. Y. (Autor:in) / Tin, C. C. (Autor:in) / McDonald, K. (Autor:in) / Farmer, D. (Autor:in) / Chanana, R. K. (Autor:in) / Weller, R. A. (Autor:in) / Pantelides, S. T. (Autor:in) / Holland, O. W. (Autor:in) / Das, M. K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 967-972

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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