Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Improved Channel Mobility in Normally-Off 4H-SiC MOSFETs with Buried Channel Structure

    Neue Suche nach: Harada, S.
    Neue Suche nach: Suzuki, S.
    Neue Suche nach: Senzaki, J.
    Neue Suche nach: Kosugi, R.
    Neue Suche nach: Adachi, K.
    Neue Suche nach: Fukuda, K.
    Neue Suche nach: Arai, K.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Improved Channel Mobility in Normally-Off 4H-SiC MOSFETs with Buried Channel Structure

    Neue Suche nach: Harada, S.
    Neue Suche nach: Suzuki, S.
    Neue Suche nach: Senzaki, J.
    Neue Suche nach: Kosugi, R.
    Neue Suche nach: Adachi, K.
    Neue Suche nach: Fukuda, K.
    Neue Suche nach: Arai, K.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Improved Channel Mobility in Normally-Off 4H-SiC MOSFETs with Buried Channel Structure

    Neue Suche nach: Harada, S.
    Neue Suche nach: Suzuki, S.
    Neue Suche nach: Senzaki, J.
    Neue Suche nach: Kosugi, R.
    Neue Suche nach: Adachi, K.
    Neue Suche nach: Fukuda, K.
    Neue Suche nach: Arai, K.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Improved Channel Mobility in Normally-Off 4H-SiC MOSFETs with Buried Channel Structure

    Beteiligte:

    Harada, S. (Autor:in) / Suzuki, S. (Autor:in) / Senzaki, J. (Autor:in) / Kosugi, R. (Autor:in) / Adachi, K. (Autor:in) / Fukuda, K. (Autor:in) / Arai, K. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 1069-1072

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2002

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    High Channel Mobility 4H-SiC MOSFETs

    Sveinbjornsson, E. O. / Gudjonsson, G. / Allerstam, F. et al. | British Library Online Contents | 2006

    Mobility in 6H-SiC n-Channel MOSFETs

    Scozzie, C. J. / Lelis, A. J. / McLean, F. B. | British Library Online Contents | 2000

    4H-SiC p-Channel MOSFETs with Epi-Channel Structure

    Okamoto, M. / Yatsuo, T. / Fukuda, K. et al. | British Library Online Contents | 2009

    Positioning device for pre-buried channel and pre-buried channel structure

    ZHANG PING / LIN HUANSHENG / XIA LONG et al. | Europäisches Patentamt | 2021

    Freier Zugriff

    High Temperature Performance of 3C-SiC MOSFETs with High Channel Mobility

    Uchida, H. / Minami, A. / Sakata, T. et al. | British Library Online Contents | 2012

    Nach oben