SiC Vertical DACFET (Vertical Delta-Doped Accumulation Channel MOSFET): Fid-Bau Portal

SiC Vertical DACFET (Vertical Delta-Doped Accumulation Channel MOSFET)

Kusumoto, O. / Yokogawa, T. / Yamashita, K. / Takahashi, K. / Kitabatake, M. / Uchida, M. / Miyanaga, R.

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Titel:

SiC Vertical DACFET (Vertical Delta-Doped Accumulation Channel MOSFET)

Beteiligte:

Kusumoto, O. (Autor:in) / Yokogawa, T. (Autor:in) / Yamashita, K. (Autor:in) / Takahashi, K. (Autor:in) / Kitabatake, M. (Autor:in) / Uchida, M. (Autor:in) / Miyanaga, R. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 1211-1214

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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