Hybrid MOS-Gated Bipolar Transistor Using 4H-SiC BJT: Fid-Bau Portal

Hybrid MOS-Gated Bipolar Transistor Using 4H-SiC BJT

Tang, Y. / Chow, T. P. / Agarwal, A. K. / Ryu, S.-H. / Palmour, J. W.

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Titel:

Hybrid MOS-Gated Bipolar Transistor Using 4H-SiC BJT

Beteiligte:

Tang, Y. (Autor:in) / Chow, T. P. (Autor:in) / Agarwal, A. K. (Autor:in) / Ryu, S.-H. (Autor:in) / Palmour, J. W. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 1341-1344

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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