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    Titel:

    Comparison of High-Voltage 4H-SiC Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) and MOS-Gated Bipolar Transistor (MGT)

    Beteiligte:

    Zhu, L. (Autor:in) / Balachandran, S. (Autor:in) / Chow, T. P. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 917-920

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2005

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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