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    Dokumentinformationen
    Titel:

    A Novel, Planar 3,000 V Normally-Off Field Gated Bipolar Transistor in 4H-SiC

    Beteiligte:

    Li, X. (Autor:in) / Fursin, L. (Autor:in) / Zhao, J. H. (Autor:in) / Alexandrov, P. (Autor:in) / Pan, M. (Autor:in) / Weiner, M. (Autor:in) / Burke, T. (Autor:in) / Khalil, G. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 1345-1348

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2002

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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