Surface Morphology of GaN Epilayer with Si~xN~1~-~x Buffer Layer Grown by Ammonia-source MBE: Fid-Bau Portal

Surface Morphology of GaN Epilayer with Si~xN~1~-~x Buffer Layer Grown by Ammonia-source MBE

Shimizu, M. / Ohkita, H. / Suzuki, A. / Okumura, H.

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Titel:

Surface Morphology of GaN Epilayer with Si~xN~1~-~x Buffer Layer Grown by Ammonia-source MBE

Beteiligte:

Shimizu, M. (Autor:in) / Ohkita, H. (Autor:in) / Suzuki, A. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 1465-1468

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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