In Situ Doping of 3C-SiC Grown on (0001) Sapphire Substrates by LPCVD: Fid-Bau Portal

In Situ Doping of 3C-SiC Grown on (0001) Sapphire Substrates by LPCVD

Sun, G. S. / Luo, M. C. / Wang, L. / Zhu, S. R. / Li, J. M. / Zeng, Y. P. / Lin, L. Y.

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Titel:

In Situ Doping of 3C-SiC Grown on (0001) Sapphire Substrates by LPCVD

Beteiligte:

Sun, G. S. (Autor:in) / Luo, M. C. (Autor:in) / Wang, L. (Autor:in) / Zhu, S. R. (Autor:in) / Li, J. M. (Autor:in) / Zeng, Y. P. (Autor:in) / Lin, L. Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 339-342

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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