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    Titel:

    Intraband Transitions on GaN/AlN Quantum Wells Grown on Sapphire (0001) and 6H-SiC Substrates

    Beteiligte:

    Helman, A. (Autor:in) / Tchernycheva, M. (Autor:in) / Moumanis, K. (Autor:in) / Lusson, A. (Autor:in) / Warde, E. (Autor:in) / Julien, F. (Autor:in) / Monroy, E. (Autor:in) / Fossard, F. (Autor:in) / Daudin, B. (Autor:in) / Dang, L. S. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1589-1592

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2004

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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